Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2006.11a
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- Pages.328-329
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- 2006
The Effects of Processing Parameters of Plasma Characteristics by Induced Coupled Plasma Source
유도결합 플라즈마(ICP) source로 생성된 plasma 특성의 공정 변수 영향
- Lee, S.W. (ADP Engineering) ;
- Kim, H. (ADP Engineering) ;
- Lim, J.Y. (ADP Engineering) ;
- Ahn, Y.Y. (ADP Engineering) ;
- Whoang, I.W. (ADP Engineering) ;
- Kim, J.H. (ADP Engineering) ;
- Ji, J.Y. (ADP Engineering) ;
- Choi, J.Y. (ADP Engineering) ;
- Lee, Y.J. (ADP Engineering) ;
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Ha, S.H.
(Korea Institute of Science & Technology)
- 이상욱 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 김훈 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 임준영 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 안영웅 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 황인욱 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 김정희 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 지종열 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 최준영 ((주)에이디피엔지니어링) ;
- 이영종 ((주)에이디피엔지니어링) ;
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한승희
(한국과학기술연구원)
- Published : 2006.11.09
Abstract
반도체 소자의 소형화, 고질적화는 junction 깊이 감소와 도핑농도의 증가를 요구한다. 현재 상용화되는 도핑법은 이온빔 주입(Ion Beam Ion Implantation, IBII)인데, 이 방법은 낮은 가속에너지를 가하는 경우 이온빔의 정류가 금속이 감소해 주입 속도가 낮아져 대랑 생산이 어렵고 장비가 고가라는 단점이 있다. 하지만 플라즈마를 이용한 이온주입법 (Plasma Source Ion Implantation, PSII)은 공정 속도가 빠르고 제조비용이 매우 저렴해 새로운 이온주입법으로 주목받고 있다. PSII법에서 플라즈마 특성은 그 결과에 큰 영향을 미치므로 플라즈마 특성의 적절한 제어가 필수적으로 요구된다. 본 연구에서는 공정압력과 RF power를 변화시키며 플라즈마 밀도 측정했다. 그 결과 공정압력이 증가함에 따라서 플라즈마 밀도는 감소되었고 RF power 증가함에 따라서 플라즈마 밀도는 증가되었다.