Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

After treated the OTS of the gate insulator, the OTFT electric property of active layer Pentacene growth

게이트 절연막에 OTS를 처리한 후 활성층 Pentacene 성장에 따른 OTFT 전기적 특성

  • Son, Jae-Gu (Dept. Electronic Engineering, Cheong-ju Univ.) ;
  • Oh, Teresa (Division of Electronic and Information Engineering, Cheong-ju Univ.) ;
  • Kim, Hong-Bae (Division of Electronic and Information Engineering, Cheong-ju Univ.)
  • 손재구 (청주대학교 전자공학과) ;
  • 오데레사 (청주대학교 전자정보공학부) ;
  • 김홍배 (청주대학교 전자정보공학부)
  • Published : 2006.06.22
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Abstract

본 논문은 게이트 절연막에 OTS(n-octadecy trichlorosilance) 혼합용액을 이용하여 SAMs(Self-Assembled Monolayers)막을 형성하였다. OTS 혼합용액은 OTS를 0.1w%와 0.5w% 각각을 클로로포름 30w%와 헥산 70w%에 혼합하여 만들었다. 이 혼합용액을 게이트 절연막위에 표면처리하였다. 활성층인 Pentacene이 게이트 절연막 위에 증착될 때, OTS 혼합용액의 비에 따라 누설전류특성을 보았다. OTS를 0.1w% 처리한것이 0.5w%보다 누설전류가 더 작게 나타났다. 결과적으로 OTFT의 게이트 절연막의 절열특성은 향상시키는데 OTS 혼합용액의 비가 큰 영향을 준다.

Keywords