Mechanism of infinite $Si_3N_4/ArF$ PR etch selectivity during $CH_2F_2/H_2/Ar$ dual frequency capacitively coupled plasma etching of Si3N4 layers

  • 박창기 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김희대 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이춘희 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이내응 (성균관대학교 신소재공학과)
  • 발행 : 2006.08.01