A Study of PMMA Gate Insulator Film for Organic Transistors

유기 트랜지스터 제작을 위한 PMMA 게이트 절연막의 특성연구

  • Yoo, Byung-Chul (Department of Electrical and Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Gong, Su-Cheol (Department of Electrical and Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Shin, Ik-Sub (Department of Electrical and Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Shin, Sang-Bea (Department of Electrical and Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Lee, Hak-Min (Department of Electrical and Computer Engineering, Dankook University) ;
  • Park, Hyung-Ho (Department of Ceramics Engineering, Yonsei University) ;
  • Jeon, Hyeong-Tag (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University) ;
  • Chang, Ho-Jung (Department of Electrical and Computer Engineering, Dankook University)
  • 유병철 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) ;
  • 공수철 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) ;
  • 신익섭 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) ;
  • 신상배 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) ;
  • 이학민 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과) ;
  • 박형호 (연세대학교 세라믹공학과) ;
  • 전형탁 (한양대학교 신소재공학과) ;
  • 장호정 (단국대학교 전자.컴퓨터공학과)
  • Published : 2007.11.22

Abstract

PMMA (polymethyl metha crylate) 유기막의 농도별 최적화를 위하여 1, 2, 4, 6, 8 wt.%의 PMMA 농도별로 Al/PMMA/ITO/Glass 구조의 MIM (metal- insulator-metal) 캐패시터 소자를 제작하였다. 유기 절연층의 형성은 ITO/Glass 기판 위에 PMMA를 용질로, Anisle을 용매로 사용하여 스핀코팅법으로 소자를 형성하였다. 제작된 소자에 대해 농도에 따른 전기적 특성을 조사한 결과 누설전류는 2wt.% 농도의 PMMA로 제작된 소자에서 0.3 pA로 가장 우수한 결과를 얻을 수 있었다. 또한 동일한 PMMA 농도로 제작된 캐패시터 소자의 정전용량은 1.2 nF으로 가장 좋은 결과를 얻을 수 있었으며, 계산된 값과 매우 유사한 값을 얻을 수 있었다.

Keywords