Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.11a
- /
- Pages.111-112
- /
- 2007
Prediction and Analysis of Charge Density Using Neural Network
신경망을 이용한 전하밀도의 예측과 해석
- Kwon, Sang-Hee (Sejong University) ;
- Hwang, Bo-Kwang (Sejong University) ;
- Lee, Kyu-Sang (Sejong University) ;
- Uh, Hyung-Soo (Sejong University) ;
- Kim, Byung-Whan (Sejong University)
- 권상희 (세종대학교, 전자공학과) ;
- 황보광 (세종대학교, 전자공학과) ;
- 이규상 (세종대학교, 전자공학과) ;
- 우형수 (세종대학교, 전자공학과) ;
- 김병환 (세종대학교, 전자공학과)
- Published : 2007.11.01
Abstract
Silicon nitride (SiN) 박막을 플라즈마 응용화학기상법을 이용하여 증착하였다. SiN박막의 전하밀도는 일반화된 회귀 신경망과 유전자 알고리즘을 이용하여 모델링하였다. PECVD 공정은 Box Wilson 실험계획표를 이용하여 수행하였다.
Keywords
- Silicon nitride;
- Plasma enhanced chemical vapor deposition;
- Neural network;
- Genetic algorithm;
- Model
- 실리콘 나이트라이드;
- 플라즈마 응용화학기상법;
- 신경망;
- 유전자 알고리즘;
- 모델;
- 전하밀도;