Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Growth of Carbon Nanotubes at Low temperature by HF-PECVD

Hot-filament 화학기상증착법을 이용한 탄소나노튜브의 저온 성장

  • Chang, Yoon-Jung (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Choi, Eun-Chang (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Park, Yong-Seob (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Choi, Won-Seok (Department of Electrical Engineering, Hanbat University) ;
  • Hong, Byung-You (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 장윤정 (성균관대학교 재료공학과) ;
  • 최은창 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 박용섭 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 최원석 (한밭대학교 전기공학과) ;
  • 홍병유 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2007.11.01
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Abstract

탄소나노튜브(CNTs)는 우수한 물리적, 화학적, 기계적 특성으로 다양한 분야에서 연구가 진행 되고있다. 특히, field emission displays (FEDs)로의 응용을 위해서는 기본적으로 sodalime glass 위에 직접 CNTs를 성장시켜야 하며, 소자 응용을 위해 기판인 sodalime glass를 왜곡시키는 온도보다 낮은 온도에서 CNT의 수직 성장이 이루어져야 한다. 본 연구에서는 Hot-filament plasma enhanced chemical vapor deposition (HF-PECVD)를 이용하여 합성온도를 400, 450, 500, $550^{\circ}C$로 변화시켰으며 촉매 층인 Ni의 두께를 5~40 nm까지 조절하여 탄소나노튜브를 합성하였다. 저온에서 합성된 탄소나노튜브는 FE-SEM을 이용하여 성장 형태 및 표면 특성을 확인하였으며, 미세구조는 HR-TEM을 이용하여 확인하였다.

Keywords