Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Characteristic of $TiO_2$ Thin Film for Nonvolatile Memory Device's Gate-Blocking Layer

비휘발성 메모리 소자의 Gate-Blocking Layer 적용을 위한 $TiO_2$ 박막 특성

  • Choi, Hak-Mo (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Kwang-Soo (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Jun-Sin (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 최학모 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 이광수 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 이준신 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2007.11.01
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Abstract

본 논문에서는 $SiO_2$ Gate 유전체를 대체할 재료의 하나인 $TiO_2$, Gate 유전체의 기판 증착 온도에 따른 특성을 알아보고자 한다. 디바이스의 고집적화가 높아짐에 따라 얇은 두께의 Gate 유전체의 절대적인 필요에 따라 두께를 최소화하면서 유전율은 높아 전기적 특성이 우수한 소재를 찾게 되었다. 본 논문의 실험에서는 비휘발성 메모리 소자 제작시 Gate Blocking Layer 적용을 위해 High-k 물질인 $TiO_2$, 박막 증착 실험을 하였고, APCVD 방법을 사용하여 성장하였다. 증착 온도에 따른 I-V 특성을 분석하고 그에 따른 소자의 물리적 구조를 SEM을 통해 확인하면서 소자 제작시 최적의 온도를 찾고자 하였다.

Keywords