Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Effect of plasma etching on DLC films prepared by RF-PECVD method

RF-PECVD법에 의해 합성된 DLC 박막에 대한 plasma etching의 영향에 대한 연구

  • Oh, Chang-Hyun (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
  • Yun, Deok-Yong (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
  • Park, Yong-Seob (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
  • Cho, Hyung-Jun (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
  • Choi, Won-Seok (Department of Electrical Engineering, Hanbat National University) ;
  • Hong, Byung-You (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University)
  • 오창현 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 윤덕용 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 박용섭 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 조형준 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 최원석 (한밭대학교) ;
  • 홍병유 (성균관대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2007.11.01
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Abstract

본 논문에서는 DLC (Diamond-like carbon)박막이 가지는 높은 경도, 낮은 마찰계수, 전기적 절연성, 화학적 안정성 등의 특성을 이용하여, 리소그래피를 위한 resist나 hard coating물질로써 응용하기 위해, DLC 박막의 에칭에 관한 연구를 진행하였다. DLC 박막의 합성 과 에칭은 13.56 MHz RF plasma enhanced vapor deposition technique를 통해 이루어졌으며, DLC 박막은 150 W의 RF Power에서 메탄 $(CH_4)$과 수소$(H_2)$ 가스를 이용하여 약 300 nm의 두께로 제작되었으며, DLC박막의 에칭은 RF power의 변화 (50~250 W)와 산소 $(O_2)$가스의 유량변화 (5~25 sccm)에 따라 실시하였다. 에칭 되어진 DLC 박막의 표면 특성들은 AFM (atomic force microscopy)과 contact angle 장치를 사용하여 측정되었고, 측정된 결과로써 DLC 박막은 RF power와 산소 가스의 유량이 높을수록 etching rate는 증가하였고, 박막의 표면은 거칠어졌으며, 결국 DLC 표면에서는 산소에 의한 결합의 증가로 인해 친수성을 나타내었다.

Keywords