Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

The effect of $O_2$ flow rate on die characteristics of ATO Thin Films by RF Magnetron Sputtering

RF Magnetron Sputtering을 이용한 ATO 박막의 산소 유량에 따른 특성 변화

  • Kyeon, Dong-Min (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, Sung-Uk (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Park, Mi-Ju (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Young-Ryeol (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Choi, Won-Seok (Department of Electrical Engineering, Hanbat National University) ;
  • Hong, Byung-You (Center for Advanced Plasma Surface Technology(CAPST), Sungkyunkwan University)
  • 견동민 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 이성욱 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 박미주 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 김영렬 (성균관대학교 정보통신공학부) ;
  • 최원석 (한밭대학교) ;
  • 홍병유 (플라즈마응용 표면기술 연구센터)
  • Published : 2007.11.01
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Abstract

현재 투명전극의 재료로 ITO, ZnO, $SnO_2$등의 재료가 주로 이용되며, 낮은 저항률을 장점으로 가지는 ITO 박막이 가장 널리 이용되고 있으나, 가격이 비싸다는 단점을 가지고 있다. 이 밖에도 ITO 박막보다 가격이 저렴한 ZnO박막에 대한 연구가 많이 진행되고 있으나, 고온에서의 열적 불안정성 등의 문제로 상용화되지는 못하고 있다. 그러나 $SnO_2$ 박막은 ITO와 ZnO 박막보다 저항률이 다소 높지만, 우수한 열적, 화학적 안정성과 저렴한 가격으로 ITO 박막을 대체할 투명전도막 재료로 주목받고 있다. 본 연구에서는 $SnO_2$박막의 저항률 향상을 위하여 ATO(Antimony doped Tin Oxide) 박막을 RF Magnetron Sputtering 법으로 Coming glass위에 증착하였으며, 박막 증착시 산소 유량의 변화가 ATO 박막의 구조적, 전기적 그리고 광학적 특성에 미치는 효과를 연구하였다. 본 실험에서는 동작압력을 10 mTorr, RF power를 250W로 고정하고 $O_2$ 유량을 부분적으로 변화시키면서 증착되어진 ATO 박막을 분석한 결과 Ar:$O_2$의 비가 90:10일 때 최적의 가스비율로써 우수한 구조적, 전기적 그리고 광학적 특성을 보임을 확인하였다.

Keywords