Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

On The Etching Mechanism of $ZrO_2$ Thin Films in Inductively Coupled $BCl_3$/Ar Plasma

  • Kim, Man-Su (Dept. of Control and Instrumentation Engineering. Korea University) ;
  • Jung, Hee-Sung (Dept. of Control and Instrumentation Engineering. Korea University) ;
  • Min, Nam-Ki (Dept. of Control and Instrumentation Engineering. Korea University) ;
  • Lee, Hyun-Woo (Dept. of Computer and Applied Physics, Hanseo University) ;
  • Kwon, Kwang-Ho (Dept. of Control and Instrumentation Engineering. Korea University)
  • Published : 2007.06.21
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Abstract

$BCl_3$/Ar ICP 플라즈마를 이용한 $ZrO_2$ 박막의 식각 메카니즘이 실험 결과와 모델링을 통해 연구되었다. Ar 가스의 증가에 따라, $ZrO_2$의 식각 속도는 선형 변화의 경향을 보이지 않았고, Ar의 약 30% - 35%에서 41.4nm/min의 최대의 속도를 나타내었다. Langmuir probe 측정과 plasma 모델링 결과로부터, $BCl_3$/Ar 가스 혼합비가 플라즈마 파라미터와 active species의 형성에 큰 영향을 미침을 확인하였다. 한편 surface kinetics 모델링 결과로부터, $ZrO_2$의 식각 속도는 ion-assisted chemical reaction mechanism 에 의해 결정됨을 확인하였다.

Keywords