The study for the crystallization of a-Si by using the Ni-solution

Ni-solution을 이용한 a-Si 결정화에 관한 연구

유리 기판 상부에 버퍼 층을 형성 한 후 플라즈마 화학 기상 증착 법을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하고 Ni-solution을 이용하여 앓게 Ni 코팅한다. 그 시료를 약 $600^{\circ}C$의 RTA 열처리 공정을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 연구를 진행하였다. Ni 코팅 과정에서 온도를 달리하며 실험한 결과 약 70 에서 $80^{\circ}C$의 온도에서 진행을 하여야 가장 결정화가 잘 일어나는 것을 알 수 있다. Ni 코팅은 15 초, RTA 공정은 40분간의 진행 시간을 거쳐야 최적의 결정화 정도를 만들어 낸다.