Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.06a
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- Pages.151-151
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- 2007
Epitaxial growth of high-temperature ZnO thin films on sapphire substrate by sputtering
마그네트론 스퍼터링에 의한 사파이어 기판위에 고온에서의 ZnO박막의 에피성장
- Kim, Young-Yi (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Ahn, Cheol-Hyoun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Kang, Si-Woo (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Kong, Bo-Hyun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
- Cho, Hyung-Koun (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University)
- 김영이 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
- 강시우 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
- 안철현 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
- 공보현 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
- 조형균 (성균관대학교, 신소재공학과)
- Published : 2007.06.21
Abstract
최근에 에피 성장된 ZnO는 UV-LED, 화학적-바이오센서와 투명전도 전극에 많은 관심을 받고 있다. 고 품질의 ZnO는 Metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD), Pulsed laser deposition(PLD), molecular beam epitaxy(MBE), 그리고 마그네트론 스퍼터링법에 의해 성장이 이루어지고 있다. 대부분의 ZnO는 사파이어, 싫리콘과 같은 이종 기판 위에 성장되고 있으며, Heteroepitaxy로 성장된 ZnO 박막은 기판과 박막사이의 격자상수, 열팽창계수 차이로 인해 높은 결함 밀도를 보이고 있다. 이러한 문제점은 광전자 소자 응용에 있어 여러 가지 문제점을 야기 시킨다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 박막과 기판사이에 저온 버퍼층을 사용하거나 같은 물질의 버퍼층을 사용하여 결할 밀도를 감소시키고, 높은 결정성을 가진 ZnO 박막을 성장시킨 결과들이 많이 보고되어지고 있다. 본 연구에서는 마그네트론 스퍼터링 법으로 저온 버퍼층 성장 없이 성장온도 만을 달리 하여 고품질의 ZnO 박막을 성장시켰다. ZnO 박막은 c-sapphire 기판위에 ZnO(99.9999%)의 타겟을 사용하여
Keywords