The effects of current conditions on the defect free deep via fill with reduced overburden

Overburden 억제와 무결함 Deep Via Cu Fill 도금을 위한 전류조건의 영향

  • 임은정 (삼성전기, 도금TG, 생산기술연구소) ;
  • 김태호 (삼성전기, 도금TG, 생산기술연구소) ;
  • 변정수 (삼성전기, 도금TG, 생산기술연구소) ;
  • 김태호 (삼성전기, 도금TG, 생산기술연구소) ;
  • 원경아 (삼성전기, 도금TG, 생산기술연구소) ;
  • 남효승 (삼성전기, 도금TG, 생산기술연구소)
  • Published : 2007.11.12

Abstract

Cu via fill 도금 시, void, seam과 같은 내부 defects는 공정 중 신뢰성을 떨어뜨리며, 전기신호 전달속도를 느리게 한다. 또한 Cu via fell 도금 공정 중 발생하는 과도한 Cu 표면 도금층은 wafer thenning 공정의 생산성 저하와 공정 비용 상승을 유발한다. 3D Interconnection용 직경 30${\mu}$m, 깊이 120${\mu}$m (Aspect Ratio : 4) Via를 이용하여 정류방법, 전류 parameter, 첨가제 조성에 따른 Cu via felling 특성과 overburden두께 변화를 실험적으로 검증하였다.

Keywords