Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2007.11a
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- Pages.57-58
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- 2007
Sidewall Property of Deep Si Vias Etched for 3 Dimensional Interconnection
Abstract
본 연구에서는 실리콘 식각 공정 중 하나인 BOSCH 공정 이후 문제가 되는 scallops를 후처리 공정인 RCA 클리닝 공정, KOH와 IPA를 이용한 습식식각 공정을 이용하여 제거하는 방법을 개발하였다. 또한 Via-Hole 에칭 공정이후 전기적 절연을 위해 측벽에 증착된 TEOS 표면에 대하여 분석하였다.
Keywords