Charge Density Modeling of Silion Nitride Thin Films Using Neural Network

신경망을 이용한 실리콘 나이트라이드 박막의 전하밀도 모델링

플라즈마 응용화학기상법을 이용하여 Silicon Nitride (SiN) 박막을 증착하였다. PECVD 공정은 Box Wilson 실험계획표를 이용하여 수행하였다. SiN박막의 전하밀도를 신경망과 유전자 알고리즘을 이용하여 모델링하였다. 개발된 모델을 이용하여 전하밀도에의 $N_2$와 $NH_3$의 영향을 다양한 온도에서 고찰하였다. $N_2$ (or $NH_3$)의 증가에 따라 전하밀도는 증가하였으며, 이는 전하밀도의 [N-H]에의 강하게 의존하고 있음을 보인다. 전하밀도는 고온에서의 $NH_3$의 증가, 또는 높은 $NH_3$ 유량에서의 온도의 증가에 따라 급격히 증가하였다. 굴절률 모델과 비교할 때, 이 같은 현상이 [N-H]의 증가에 기인하는 것으로 해석되었다.