저온 마그네트론 스퍼터링에 의해 합성된 IZO 박막의 전기적 특성

Electrical properties of IZO thin films using magnetron sputtering method at low temperature

  • 박미랑 (한국기계연구원, 표면기술연구센터, 부산대학교, 재료공학부) ;
  • 김도근 (한국기계연구원, 표면기술연구센터) ;
  • 이성훈 (한국기계연구원, 표면기술연구센터) ;
  • 이건환 (한국기계연구원, 표면기술연구센터) ;
  • 송풍근 (부산대학교, 재료공학부)
  • 발행 : 2007.04.05

초록

마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 $100^{\circ}C$미만의 저온에서 산소유량을 변화시켜 Indium Zinc Oxide(IZO) 박막을 증착하였다. 기판온도의 영향과 산소유량의 변화에 따른 IZO 박막의 전기적 특성 변화를 조사하였다. 그 결과 가열하지 않고 증착한 경우 산소유량비의 증가와 함께 IZO 박막의 비저항이 증가되었고, $80^{\circ}C$로 증착온도를 가열한 경우 산소유량비 조절조건에 따라 최소 비저항이 얻어졌다. IZO 박막의 최저 비저항은 증착온도 $80^{\circ}C$, 산소유량비 1%조건에서 $2{\times}10^{-4}$ ${\Omega}$ cm로 나타났다.

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