Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Electrical characterization of n-ZnO/p-Si heterojunction diode grown by MOCVD

MOCVD를 이용해 성장한 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드의 전기적 특성 평가

  • 한원석 (성균관대학교 / 신소재공학부) ;
  • 공보현 (성균관대학교 / 신소재공학부) ;
  • 김동찬 (성균관대학교 / 신소재공학부) ;
  • 조형균 (성균관대학교 / 신소재공학부)
  • Published : 2007.04.05
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Abstract

저온 성장이 가능한 MOCVD를 이용하여 단결정 p-Si 기판위에 n-ZnO를 산소분압을 달리하여 성장하였다. 산소유량에 따른 이종접합 다이오드의 전기적 특성을 평가하기위하여 n-ZnO의 전기전도도, 이동도, 캐리어 농도를 측정하였으며, 소자에 저항성 접촉(ohmic contact) 전극을 형성하여 전류-전압 특성을 파악하였다.

Keywords