Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2007.04a
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- Pages.151-152
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- 2007
차세대 STI Gap Fill 방법의 연구
- Yu, Jin-Hyeok ;
- Kim, Hui-Dae ;
- Han, Jeong-Hun ;
- Gang, Dae-Bong ;
- Lee, Dae-U ;
- Seo, Seung-Hun ;
- Lee, Nae-Eung ;
- Son, Jong-Won
- 유진혁 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
- 김희대 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
- 한정훈 (주성엔지니어링(주), HDP Team) ;
- 강대봉 (주성엔지니어링(주), HDP Team) ;
- 이대우 (주성엔지니어링(주), HDP Team) ;
- 서승훈 (주성엔지니어링(주), HDP Team) ;
- 이내응 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
- 손종원 (주성엔지니어링(주), HDP Team)
- Published : 2007.04.05
Abstract
최근들어 Device 크기가 100nm 이하로 줄어듦에 따라 High Density Plasma Chemical Vapor Deposition(HDP-CVD) 기술로는 100nm 이하의 gap에 Aspect ratio가 6:1 이상 되는 STI(Shallow Trench Isolation) 구조를 Void 없이 채우는 것이 불가능해 지고 있다. 이를 극복하기 위하여 여러 방면으로 연구가 수행되어지고 있다. 그 방법 중의 하나인 Dep/Etch/Dep Cycle이 이번 연구에서 사용되었으며, 일반적인 HDP CVD보다 더 낮은 압력에서 증착과 식각이 수행되었다. 그 결과 다른 여러 방법들보다 좋은 막질을 얻을 수 있었으며, Gap fill 성능을 향상 시킬 수 있었다.
Keywords