스퍼터링 방법으로 성장시킨 ZnO 박막의 결정질 향상을 위한 고온성장

  • 김영이 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
  • 안철현 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
  • 강시우 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
  • 김동찬 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
  • 공보현 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
  • 한원석 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
  • 전상욱 (성균관대학교, 신소재공학과) ;
  • 조형균 (성균관대학교, 신소재공학과)
  • 발행 : 2007.04.05

초록

ZnO 박막의 결정질을 향상시키기 위해 고온에서 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장시켰다. 성장온도가 증가 할수록 박막의 결정질이 향상 되는 것을 TEM과 XRD 결과로 확인할 수 있었다. 또한 성장온도가 증가 할수록 박막의 표면 형상이 three-dimensional islands 구조를 가지며, grain size와 표면 거칠기가 증가 하는 것을 관찰 할 수 있었다. 위의 실험 결과로 우리는 RF 스퍼터링 방법으로 고온성장하여 ZnO 박막의 결정질을 향상시켰다.

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