Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Electrical and Optical Properties of Al, Si, and Ti-doped ZnO films for transparent conductive oxides(TCOs)

  • Bae, Kang (Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu) ;
  • Seo, Sung-Bo (Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu) ;
  • Ji, Seong-Hun (Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu) ;
  • Ryu, Sung-Won (Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu) ;
  • Sohn, Sun-Young (Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu) ;
  • Kim, Hwa-Min (Department of Electronics Engineering, Catholic University of Daegu)
  • 배강 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 서성보 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 지승훈 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 류성원 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 손선영 (대구가톨릭대학교 전자공학과) ;
  • 김화민 (대구가톨릭대학교 전자공학과)
  • Published : 2008.11.06
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Abstract

본 연구는 투명전도성전극(TCO)인 ITO를 대체하기 위해 ZnO에 $Al_2O_3$, $SiO_2$, $TiO_2$의 불순물을 도핑하여 박막의 전기적 및 광학적 특성에 관한 연구를 하였다. 불순물 도핑은 2wt.%로 진행 하였고, 동일한 전압과 두께로 그 특성을 비교 하였으며, 특성으로는 UV-Vis를 이용한 광투과율 측정과 광투과율을 이용한 박막의 광학적 밴드갭과 굴절률을 계산 하였다. 전기적 특성으로는 4-Point Probe로 면저항과 비저항값을 측정하였다.

Keywords