Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

A comparative analysis of deep level emission in the ZnO layers deposited by various methods

다양한 방법으로 성장된 ZnO layer의 Deep level emission에 대한 비교 분석

  • Ahn, C.H. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, Y.Y. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, D.C. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kong, B.H. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Han, W.S. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Choi, M.K. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Cho, H.K. (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, J.H. (Major of Semiconductor Physics, Korea Maritime University) ;
  • Kim, H.S. (Major of Semiconductor Physics, Korea Maritime University)
  • 안철현 (성균관대학교 신소재 공학부) ;
  • 김영이 (성균관대학교 신소재 공학부) ;
  • 김동찬 (성균관대학교 신소재 공학부) ;
  • 공보현 (성균관대학교 신소재 공학부) ;
  • 한원석 (성균관대학교 신소재 공학부) ;
  • 최미경 (성균관대학교 신소재 공학부) ;
  • 조형균 (성균관대학교 신소재 공학부) ;
  • 이종훈 (한국해양대학교 나노데이터시스템 학부) ;
  • 김홍승 (한국해양대학교 나노데이터시스템 학부)
  • Published : 2008.06.19
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Abstract

Magnetron Sputtering, MOCVD, Thermal Evaporation에 의해 성장된 ZnO layer에 대한 Dependency Temperature Photoluminescence (PL)를 이용하여 비교 분석을 통해 Deep level emission에 대해 연구하였다. Sputter에 의해 성장된 ZnO 박막은 Violet, Green, Orange-red 영역의 $Zn_i$, $V_o$, $O_i$의 defect에 의한 Deep level emission을 보였고, MOCVD에 의해 성장된 박막은 비교적 산소양이 낮은 성장 조건에서는 blue-green 영역에서, 산소양이 높은 조건에서의 박막은 Orange-red 영역의 Deep level emission을 보였다. Blue-green 영역에서의 emission은 온도가 증가함에 따라 다른 Barrier를 보였는데, 이는 $V_{Zn}$와 $V_o$에 의한 것임을 알 수 있었다. 한편, ZnO nanorods는 $V_o$에 의한 Green 영역에서의 Deep level emission을 보였다.

Keywords