한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

ENI 스퍼터를 이용한 Cu Seed Layer 증착

  • 이봉주 (국가핵융합연구소, 플라즈마응용연구팀) ;
  • 임선택 (한동대학교, 정보통신공학과) ;
  • 박영춘 (한동대학교, 정보통신공학과) ;
  • 유석재 (국가핵융합연구소, 플라즈마응용연구팀)
  • 발행 : 2008.11.19
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초록

로직 디바이스에서는 알루미늄을 대신하여 구리로 backend-of-line(BEOL) 금속화공정이 대체되고 있다. 그러나 메모리 디바이스에서 구리 배선으로의 전환이 쉽지 않다. Cu-seed layer는 구리 배선을 메모리 디바이스에 적용하기 위해서 필요한 gap-fill 확장성을 개선하기 위한 중요한 부분을 차지한다. Cu-seed layer 증착을 위한 향상된 PVD 장비인 Eni 스퍼터를 소개한다.

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