한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)
- 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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- Pages.37-37
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- 2008
고온합성 Si-DLC에서의 표면물성연구
Structure changes in Si-containing Diamond-like Carbon (DLC) film at high-temperature
- 김상권 (한국생산기술연구원, 플라즈마응용팀) ;
- 김성완 (한국생산기술연구원, 플라즈마응용팀) ;
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- Kim, Sang-Gwon ;
- Kim, Seong-Wan ;
- Nagahiro, S. ;
- Takai, O.
- 발행 : 2008.11.19
초록
고온에서 안정적인 DLC막을 성막하기 위해 PECVD공정에서 실리콘을 첨가하여 제조하였다. 기존의 실리콘첨가 DLC막과는 다르게 고온에서 생성됨으로 마이크로 클러스터 형태의 DLC구조로서 disordered 영역이 넓게 존재하고 있어 I(D)/I(G)비에서의 변화가 있는 것이 관찰되었다. 실리콘 양이 증가할수록 값이 낮아지는 것이 관찰되는데 이는 실리콘량이 증가하면서 수소의 위치에 실리콘이 결합하면서 sp3 단일구조형태의 코팅 막을 만드는 것이 관찰된다. 고온 어닐링효과로 내부구조에서 다량의 sp2구조가 관찰되는 것으로서 DLC막이 어느 정도 흑연화되지만, 실리콘이 SiC에서 SiOx로
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