한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)

한국표면공학회 (The Korean Institute of Surface Engineering)
권호 표지

고효율 수직형 발광다이오드용 TiN/Al/질소극성 n형 질화갈륨 오믹 전극 연구

  • 발행 : 2008.11.19
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

고성능 수직형 발광다이오드를 위해 저저항을 가지는 TiN/Al 오믹 전극을 개발하였다. 열처리 전에는 ${\sim}10^{-4}{\Omega}cm^2$의 컨택저항을 보였지만, 열처리후에는 TiN/Al 전극과 Ti/Al 전극은 모두 전기적 특성 감소를 보였다. 이 전극들을 시간이 지남에 따라 측정하였을 시에 TiN/Al 전극이 Ti/Al 전극보다 안정함을 보였다. XPS와 SIMS를 이용하여 오믹 형성과 전기적 특성 감소 메커니즘을 분석하였다.

키워드