Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

X-ray Photoelectron Spectroscopic Study of $Ge_{2}Sb_{2}Te_{5}$ and Its Etch Characteristics in Fluorine Based Plasmas

  • 전민환 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 강세구 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 박종윤 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 염근영 (성균관대학교 나노과학기술협동학부)
  • Published : 2009.05.27
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

최근 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 기술은 메모리의 성능과 기존의 한계점을 효과적으로 극복하며 활발한 연구를 통해 비약적으로 발전하고 있으며 특히, phase-change random access memory (PRAM)은 ferroelectric random access memory (FeRAM)과 magneto-resistive random access memory (MRAM)과 같은 다른 NVM 소자와 비교하여 기존의 DRAM과 구조적으로 비슷하고 상용화가 빠르게 진행될 수 있을 것으로 예상되는 바, PRAM에 사용되는 상변화 물질의 식각을 수행하고 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 통해 표면의 열화현상을 관찰하였다.

Keywords