RF-Magnetron Sputtering System을 이 용하여 제작한 mono-layer PZT박막과 Bi-layer PZT박막의 전기적 특성평가와 두께별 성분함량에 관한 연구

  • 정상묵 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ;
  • 박영웅 (한국산업기술대학교 신소재공학과) ;
  • 이경우 (경원 훼라이트) ;
  • 임실묵 (한국산업기술대학교 신소재공학과)
  • Published : 2009.05.27

Abstract

$Pb_1(Zr_x,\;Ti_{1-x})O_3$ (PZT)는 강유전체 기억소자(FRAM)와 초고감도 압전센서 등 다방면의 활용성으로 인해 신뢰성 높은 박막을 제조하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 RF-magnetron Sputtering System을 이용하여 mono-layer PZT박막과 Bi-layer PZT박막을 제조하여 각 sample의 전기적 특성을 비교 하였으며, 그 결과 Bi-layer PZT박막이 더 우수한 전기적 특성을 확인하였다.

Keywords