Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Temperature Monitoring of Silicon Wafei Surface Exposed to Plasma Discharge

  • 임영대 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 이승환 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 유원종 (성균관대학교 나노과학기술협동학부)
  • Published : 2009.05.27
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Abstract

유도결합형 플라즈마(ICP) 식각장비 챔버 내부에서 플라즈마에서 노출된 실리콘 웨이퍼의 표면 온도변화를 측정하였다. 플라즈마를 방전할 때 식각 공정변수, 예를 들어 Bias power, ICP power 증가에 따른 실리콘 웨이퍼 표면 온도가 증가하는 현상을 관찰할 수 있었으며 이를 바탕으로 식각되는 실리콘의 표면온도와 플라즈마 내 입자거동 간의 관계를 조사하였다.

Keywords