한국재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference)
- 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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- Pages.54.2-54.2
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- 2009
실리콘 태양전지의 후면 점접촉 구조를 위한 Al 확산에 의한 국부 후면전계의 제조
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이준성
(고려대학교 신소재공학부)
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- 권순우 (대한제당 중앙연구소) ;
- 송청호 (미래 컴퍼니) ;
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박성은
(고려대학교 신소재공학부)
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- 박하영 (고려대학교 신소재공학부) ;
- 송주용 (고려대학교 신소재공학부) ;
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박효민
(고려대학교 신소재공학부)
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- 윤세왕 (대한제당 중앙연구소) ;
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김동환
(고려대학교 신소재공학부)
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Lee, Jun-Seong
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- Gwon, Sun-U ;
- Song, Cheong-Ho ;
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Park, Seong-Eun
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- Park, Ha-Yeong ;
- Song, Ju-Yong ;
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Park, Hyo-Min
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- Yun, Se-Wang ;
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Kim, Dong-Hwan
- 발행 : 2009.05.21
초록
결정질 실리콘 태양전지의 알루미늄 후면전극이 패시베이션층의 공극을 통하여 확산됨으로써 국부 후면전계(local back surface field)가 형성되는 후면 점접촉 구조를 제조하였으며, 이에 대한 공정조건 및 특성을 연구하였다. 후면 패시베이션층은 실리콘 기판과 금속전극사이에 삽입됨으로써 표면 재결합속도를 낮추고, 후면 반사도를 높여 광흡수 경로를 증가시킬 수 있다. 고가의 사진식각기술 대신에 저가의 단순한 공정인 레이저 식각기술을 사용하여 후면 패시베이션층에 균일하고 잘 정렬된 공극 패턴을 형성할 수 있었다. 레이저 식각 조건 및 소성조건에 따른 Al 확산 국부 후면전계의 단면 형상을 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 관찰하였으며 이에 대한 전기적, 광학적 특성 변화를 조사하였다.