Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Study on the Etching Profile and Etch Rate of $SiO_2/Si_3N_4$ by Ar Gas Addition to $CF_4/O_2$ Plasma

$CF_4/O_2$ Plasma에 Ar첨가에 따른 $SiO_2/Si_3N_4$ 에칭 특성 변화

  • Kim, Boom-Soo (Department of Electronics Engineering, Myongji University) ;
  • Kang, Tae-Yoon (Department of Electronics Engineering, Myongji University) ;
  • Hong, Sang-Jeen (Department of Electronics Engineering, Myongji University)
  • Published : 2009.06.18
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Abstract

CCP방식의 식각에 있어서 CF4/O2 Plasma Etch에 Ar을 첨가함으로써 Etch특성이 어떻게 변화하는지를 조사하였다. FE-SEM를 이용하여 Etch Profile를 측정하였다. 또한 Elipsometer와 Nanospec을 이용하여 Etch rate를 측정하였다. Ar의 비율이 전체의 47%정도를 차지하였을 때까지 Etch Profile이 향상되었다가 그이후로는 다시 감소하는 것을 볼 수 있었다. Ar을 첨가할수록 etch rate은 계속 향상되었다. Ar을 첨가하는 것은 물리적인 식각으로 반응하여 Etch rate의 향상과 적정량의 Ar을 첨가했을 때 Etch profile이 향상되는 결과를 얻었다.

Keywords