한국신재생에너지학회:학술대회논문집

Korean Society for New and Renewable Energy (한국신·재생에너지학회)
권호 표지

열선 CVD를 이용한 a-Si:H의 c-Si표면 passivation 및 열처리 효과 분석

  • Jeong, Dae-Young (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
  • Kim, Chan-Seok (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
  • Song, Jun-Yong (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
  • Wang, Jin-Suk (Semiconductors and Circuit System, Chungnam National University) ;
  • Park, Sang-Hyun (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research) ;
  • Lee, Jeong-Chul (Photovoltaic Research Group, Korea Institute of Energy Research)
  • Published : 2009.11.25
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Abstract

c-Si wafer에 HWCVD로 증착된 a-Si:H 박막은 초기에 낮은 passivation 특성을 가지나 열처리 공정을 통해 효과적인 passivation을 가진다. 열처리 공정은 온도와 시간에 따라 큰 차이를 보인다. 이에 열선CVD를 이용하여 n type의 c-Si 기판에 a-Si:H을 증착하여 열처리 온도에 따른 Minority carrier Lifetime를 QSSPC를 통해 passivation 특성을 측정하였다. 온도는 $150^{\circ}C{\sim}270^{\circ}C$로 변화하여 측정하였다. 또한 열처리 시간을 10분씩 증가시켜 열처리 시간에 따른 passivation을 연구, 1ms에 이르는 Minority carrier lifetime을 얻었다.

Keywords