A study of a-Si:H/c-Si interface properties by surface morphology of Si wafer in heterojunction solar cells

실리콘 기판의 표면 형상에 따른 실리콘 이종접합 태양전지의 a-Si:H/c-Si 계면 특성 연구

  • 강병준 (고려대학교 신소재공학부) ;
  • 탁성주 (고려대학교 신소재공학부) ;
  • 강민구 (고려대학교 신소재공학부) ;
  • 김찬석 (에너지기술연구원 태양전지연구단) ;
  • 이정철 (에너지기술연구원 태양전지연구단) ;
  • 김동환 (고려대학교 신소재공학부)
  • Published : 2009.06.25

Abstract

실리콘 기판과 비정질 실리콘 박막 사이의 계면특성은 실리콘 이종접합 태양전지의 효율을 높이는데 있어서 중요한 요소이다. 이종접합 태양전지에서는 n형 실리콘 기판 위에 비정질 실리콘 막을 증착시키는데 이 때 비정질 실리콘 막이 증착되면서 (111)면과 (111)면이 만나는 조직화된 피라미드의 골 사이에서 부분적으로 실리콘의 에피층이 성장하게 된다. 이 에피층이 결정질 실리콘 기판과 비정질 실리콘 막 사이의 계면 특성을 떨어뜨려 이종접합 태양전지의 효율이 감소하게 된다. 본 연구에서는 n형 실리콘 기판을 이용한 고효율 실리콘 이종접합 태양전지 제작을 위하여 실리콘 기판의 조직화 상태를 다르게 하여 셀을 제작하였다. 이에 큰 피라미드 형상의 조직화된 기판 표면, 작은 피라미드 형상의 조직화된 기판 표면, 큰 피라미드 형상을 라운딩 시킨 기판 표면, 작은 피라미드 형상을 라운딩 시킨 기판 표면을 제작하여 기판 종류에 따른 이종접합 태양전지를 제작하여 특성을 비교 하였다.

Keywords