한국신재생에너지학회:학술대회논문집
- 2009.06a
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- Pages.172-175
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- 2009
Interface Passivation Properties of Crystalline Silicon Wafer Using Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film by Hot-Wire CVD
열선 CVD법으로 증착된 비정질 실리콘 박막과 결정질 실리콘 기판 계면의 passivation 특성 분석
- Kim, Chan-Seok ;
- Jeong, Dae-Young ;
- Song, Jun-Yong ;
- Park, Sang-Hyun ;
- Cho, Jun-Sik ;
- Yoon, Kyoung-Hoon ;
- Song, Jin-Soo ;
- Kim, Dong-Hwan ;
- Yi, Jun-Sin ;
- Lee, Jeong-Chul
- 김찬석 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 정대영 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 송준용 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 박상현 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 조준식 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 윤경훈 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 송진수 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) ;
- 김동환 (고려대학교 신소재공학과) ;
- 이준신 (성균관대학교 전자통신공학부) ;
- 이정철 (한국에너지기술연구원 태양광연구단)
- Published : 2009.06.25
Abstract
n-type crystalline silicon wafers were passivated with intrinsic a-Si:H thin films on both sides using HWCVD. Minority carrier lifetime measurement was used to verify interface passivation properties between a-Si:H thin film and crystalline Si wafer. Thin film interface characteristics were investigated depending on
Keywords