Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Study of dry etch characteristic of TiN thin film for metal gate electrode in MIM capacitor

MIM 커패시터의 Metal 게이트 전극을 위한 TiN 박막의 건식 식각 연구

  • 박정수 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 주영희 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 우종창 (중앙대학교 전자전기공학부) ;
  • 허경무 (중앙대학교 재생에너지학과) ;
  • 위재형 (중앙대학교 재생에너지학과) ;
  • 김창일 (중앙대학교 전자전기공학부)
  • Published : 2009.10.14
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

이번 실험에서는 TiN의 건식 식각 특성을 연구하기 위해 $BCl_3/Ar/N_2$ 유도 결합플라즈마를 이용하였다. BCl3와 Ar의 가스 비율이 $BCl_3$ (5 sccm)/Ar (15 sccm)/N (4 sccm) 인 상황에서 RF power와 DC bias, 그리고 process pressure을 식각변수로 설정하였다. TiN의 식각률은 Alpha-step 500으로 측정하였고 표면의 식각 후 화학반응은 XPS로 측정하였다.

Keywords