Bias-voltage Dependence of Perpendicular Spin-transfer Torque in Asymmetric MgO-based Magnetic Tunnel Junctions

  • 이경진 (고려대학교 신소재공학과) ;
  • 오세충 (삼성전자 반도체 연구소) ;
  • 박승영 (한국기초과학연구원, 나노재료연구팀) ;
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  • 한재호 (포항공대 물리학과) ;
  • 이현우 (포항공대 물리학과) ;
  • 이장은 (삼성전자 반도체 연구소) ;
  • 남경태 (삼성전자 반도체 연구소) ;
  • 조영훈 (한국기초과학연구원, 나노재료연구팀) ;
  • 공요찬 (고려대학교 신소재공학과) ;
  • Published : 2009.12.06