한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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- Pages.144-144
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- 2010
산화아연 반도체의 온도 증가에 따른 비정상적인 비저항의 감소에 대한 해석
Analysis of Abnormal Reduction in Electrical Resistivity by Temperature Increase of ZnO Semiconductor
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Jang, Kyung-Soo
(Sungkyunkwan University)
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Park, Hyeong-Sik
(Sungkyunkwan University)
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- Ryu, Kyung-Ryul (Sungkyunkwan University) ;
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Jung, Sung-Wook
(Sungkyunkwan University)
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- Jeong, Han-Wook (Sungkyunkwan University) ;
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Yi, Jun-Sin
(Sungkyunkwan University)
- 발행 : 2010.06.16
초록
투명 산화물 반도체로 가장 널리 사용되는 산화아연 반도체의 온도 증가에 따른 비정상적인 비저항의 감소를 보고 한다. 이는 직류 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 연구를 진행하였으며, 공정 변수 중 압력 가변만 진행하였다. 상온에서의 전류 전압 곡선을 바탕으로 온도 증가에 따른 전류-전압 곡선 해석, 결정성 확인을 위하여 XRD 장비를 이용하였으며, 화학적인 조성 확인을 위해 EDS 장비를 이용하였다. 이를 통해 아연과 산소의 비율, (100) 결정성 방향 등의 결과를 통해 온도 증가에 따른 비정상적인 전기적 비저항 감소에 대한 현상을 확인하였다.