NiO 완충층의 두께변화에 따른 OLED 발광특성

EL properties of OLED devices using different NiO buffer thicknesses

  • 정태정 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ;
  • 최규채 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ;
  • 정국채 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ;
  • 김영국 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ;
  • 조영상 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹) ;
  • 최철진 (재료연구소, 나노기능분말연구그룹)
  • Jeong, Tae-Jeong (Nano-functional Materials Research Group, Korea Institute of Materials Science) ;
  • Choi, Gyu-Chae (Nano-functional Materials Research Group, Korea Institute of Materials Science) ;
  • Chung, Kook-Chae (Nano-functional Materials Research Group, Korea Institute of Materials Science) ;
  • Kim, Young-Kuk (Nano-functional Materials Research Group, Korea Institute of Materials Science) ;
  • Cho, Young-Sang (Nano-functional Materials Research Group, Korea Institute of Materials Science) ;
  • Choi, Chul-Jin (Nano-functional Materials Research Group, Korea Institute of Materials Science)
  • 발행 : 2010.06.16

초록

본 연구에서는 P-Type의 NiO를 Glass기판의 ITO전극위에 RF-스퍼터링 방법으로 증착하였으며, NiO 완충층의 두께 변화에 따른 OLED (Organic Light Emitting Diode) 소자의 발광 특성에 대해 연구하였다[1, 2]. NiO는 우수한 전기 광학적 특성을 가지고 있어 OLED소자의 구동전압, 발광 효율 등의 특성을 향상 시킬 수 있다[3]. NiO 완충층의 두께 변화는 스퍼터링 증착시간을 통해 5-20 nm로 조절하였으며 소자의 구조는 Glass/ITO/NiO(0~20nm)/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)형태로 제작하였다. ITO/NPB 계면에 NiO 완충층을 삽입함으로써 OLED 발광소자의 구동전압을 ~8V에서 ~5V (NiO, 10nm)로 낮출 수 있었다.

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