Well-Aligned Nano-Sized Pores Using Aluminum Thin Film Fabricated by Aluminum Anodized Oxidation Method

알루미늄 박막을 이용하여 양극산화법으로 제작한 규칙적으로 정렬된 미세기공

  • Han, Ga-Ram (Department of Electronics and Information Engineering, SoonChunHyang University) ;
  • Yun, Tae-Uk (Department of Electronics and Information Engineering, SoonChunHyang University) ;
  • Kang, Min-Ki (Department of Electronics and Information Engineering, SoonChunHyang University) ;
  • NamGung, Hyun-Min (Department of Electronics and Information Engineering, SoonChunHyang University) ;
  • Kim, Chang-Kyo (Department of Electronics and Information Engineering, SoonChunHyang University)
  • 한가람 (전자정보공학과, 순천향대학교) ;
  • 윤태욱 (전자정보공학과, 순천향대학교) ;
  • 강민기 (전자정보공학과, 순천향대학교) ;
  • 남궁현민 (전자정보공학과, 순천향대학교) ;
  • 김창교 (전자정보공학과, 순천향대학교)
  • Published : 2010.06.16

Abstract

알루미늄 양극산화 기술은 저가로 공정이 가능하고, 경제적이며 규칙적인 배열의 나노 미터 크기의 미세기공을 형성할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 인가전압, 양극산화 용액의 종류, 용액의 농도 및 온도 등의 양극산화 조건을 변화시킴에 따라 나노 기공의 직경 및 길이, 밀도 조절이 용이하다. 알루미늄 판 (aluminum plate)을 이용한 양극산화 기술은 상대적으로 많이 알려져 있으나 알루미늄 박막을 이용한 양극산화기술은 아직도 확립되어 있지 않다. 본 실험에서는 실리콘 기판에 Al을 $5000{\AA}$$8000{\AA}$으로 증착시켜서 기판으로 이용하였다. 아주 얇은 두께의 Al은 작은 변화에도 민감하게 반응하기 때문에 공정 변수인 온도와 전압의 정밀한 제어가 되어야 나노 기공의 크기 조절이 가능한 것을 확인하였다.

Keywords