Fabrication and Properties of MIS Inversion Layer Solar Cell using $Al_2O_3$ Thin Film

$Al_2O_3$ 박막을 이용한 MIS Inversion Layer Solar Cell의 제작 및 특성평가

  • 김현준 (청주대학교 반도체 공학과) ;
  • 변정현 (청주대학교 반도체 공학과) ;
  • 김지훈 (청주대학교 반도체 공학과) ;
  • 정상현 (청주대학교 반도체 공학과) ;
  • 김광호 (청주대학교 반도체 공학과)
  • Published : 2010.06.16

Abstract

산화 알루미늄($Al_2O_3$) 박막을 p-type Czochralski(CZ) Si 위에 Remote Plasma Atomic Layer Deposition(RPALD)을 이용하여 저온 공정으로 증착하였다. Photolithography 공정으로 grid 패턴을 형성한 후 열 증착기로 알루미늄을 증착하여 MIS-IL (Metal-Insulator-Semiconductor Inversion Layer) solar cell을 제작하였다. 반응소스로는 Trimethylaluminum (TMA)과 $O_2$를 이용하였다. $Al_2O_3$ 박막의 전기적 특성 평가를 위해 MIS capacitor를 제작하여 Capacitance-voltage (C-V), Current-voltage (I-V), Interface state density ($D_{it}$)를 평가하였으며 Solar simulator를 이용하여 MIS-IL Solar cell의 Efficiency을 측정하였다.

Keywords