한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

플라스틱 기반의 $Al_2O_3$ 저항변화 메모리 특성 연구

Resistive switching characteristics of $Al_2O_3$-based ReRAM on a plastic substrate

  • 한용 (고려대학교 나노반도체 공학과) ;
  • 조경아 (고려대학교 전기전자전파 공학과) ;
  • 김상식 (고려대학교 나노반도체 공학과)
  • Han, Yong (Department of Nano Semiconductor Engineering, Korea University) ;
  • Cho, Kyoung-Ah (Department of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Kim, Sang-Sig (Department of Nano Semiconductor Engineering, Korea University)
  • 발행 : 2010.06.16
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초록

Metal-Insulator-Metal 구조의 $Al_2O_3$ ReRAM 소자를 플라스틱 기판 위에 제작하였다. $Al_2O_3$ 박막은 원자층 증착 방법으로 $150^{\circ}C$의 저온 공정에서 15nm 두께로 증착하였으며, 하부와 상부의 전극으로는 DC 스퍼터링 방법으로 증착된 백금전극을 이용하였다. 플라스틱 기판위에 제작된 $Al_2O_3$ ReRAM 소자는 unipolar 메모리 특성을 보였다.

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