Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Room temperature deposition of SiN at low radio frequency source power, $SiH_4-N_2$ plasma using pulsed-PECVD

Pulsed-PECVD를 이용한 SiN 박막의 저 소스전력 $SiH_4-N_2$ 플라즈마에서의 상온 증착

  • Published : 2010.06.16
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Abstract

Silicon Nitride(SiN) 박막을 펄스드 플라즈마 응용화학기상법을 이용하여 저 소스전력의 $SiH_4-N_2$ 플라즈마에서 증착하였다. Duty ratio의 변화에 따른 이온에너지와 굴절률의 변화를 고찰하였다. 저이온에너지는 증착률과 강한 상관성을 보였다. 이온에너지 변수의 증착률에의 영향은 신경망 모델을 이용하여 고찰하였다.

Keywords