Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2010.06a
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- Pages.337-337
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- 2010
Optimization of the Gate Field-Plate Structure for Improving Breakdown Voltage Characteristics.
AlGaN/GaN HEMT의 항복전압특성 향상을 위한 게이트 필드플레이트 구조 최적화
- Son, Sung-Hun (Korea University) ;
- Jung, Kang-Min (Korea University) ;
- Kim, Su-Jin (Korea University) ;
- Kim, Tae-Geun (Korea University)
- Published : 2010.06.16
Abstract
갈륨-질화물 (GaN) 기반의 고 전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistor, HEMT)는 GaN의 큰 밴드갭 (3.4~6.2 eV), 높은 항복전계 (Ec~3 MV/cm) 및 높은 전자 포화 속도 (saturation velocity