한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)

한국전기전자재료학회 (The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers)
권호 표지

HBr/Ar 가스를 이용한 Pb(Zr,Ti)$O_3$ 식각 특성 연구

Etch characteristics of Pb(Zr,Ti)$O_3$ by using HBr/Ar gas mixtures

  • 김용근 (고려대학교 제어계측공학과) ;
  • 손현진 (고려대학교 제어계측공학과) ;
  • 이승훈 (고려대학교 제어계측공학과) ;
  • 권광호 (고려대학교 제어계측공학과)
  • Kim, Young-Keun (Dept. of Control and instrumentation Engineering, Korea University) ;
  • Son, Hyun-Jin (Dept. of Control and instrumentation Engineering, Korea University) ;
  • Lee, Seung-Hun (Dept. of Control and instrumentation Engineering, Korea University) ;
  • Kwon, Kwang-Ho (Dept. of Control and instrumentation Engineering, Korea University)
  • 발행 : 2010.06.16
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초록

본 연구에서는 유도결합형 플라즈마(ICP)를 이용하여, HBr/Ar 가스의 조성비 변화에 따른 Pb(Zr,Ti)$O_3$ 박막에 대한 식각특성을 연구 하였다. PZT박막의 식각속도와 Oxide($SiO_2$), Photo resister(PR)에 대한 식각선택비를 추출하였으며, 식각 메카니즘을 규명하기 위하여 optical emission spectroscopy(OES)와 double Langmuir prove(DLP) 이용하여 라디칼 특성변화와 이온 전류밀도(Ion current density)를 측정하였다.

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