Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Analysis of DIBL Characteristics for Double Gate MOSFET Using Series

급수를 이용한 DGMOSFET의 DIBL 특성 분석

  • Han, Ji-Hyung (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Jung, Hak-Kee (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Jeong, Dong-Soo (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Lee, Jong-In (Department of Electronic Eng., Kunsan National University) ;
  • Kwon, Oh-Shin (Department of Electronic Eng., Kunsan National University)
  • Published : 2011.05.26
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 연구에서는 Double-gate MOSFET의 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)의 특성을 분석하기 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 급수함수를 이용하였다. 단채널 효과에서는 유효채널길이 감소와 문턱전압 감소 그리고 DIBL이 있다. DIBL은 드레인 전압 변화에 따른 문턱전압의 변화로 알 수 있다. 채널길이가 감소하면 DIBL은 감소하지만, 채널길이가 감소하면 단채널 효과가 증가한다. 본 논문에서는 채널길이에 따른 DIBL을 분석하였고, 또한 채널 두께 및 게이트 산화막의 두께에 대한 DIBL에 대하여 분석하였다.

Keywords