Electronic structures of Ba-on-Alq3 interfaces and device characteristics of organic light-emitting diodes based on these interfaces - Device characteristics of Ba-on-Alq3 interfaces of OLEDs

  • 박진우 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 임종태 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2011.05.19

Abstract

Tris(8-quinolinolato)aluminum(III) (Alq3)와 Cathode 사이에 Ba o f 1nm를 삽입함으로써 OLED device의 성능이 향상되었다. 이 소자에 삽입된 Ba는 electron-injection barrier height를 낮추어서 전자주입에 영향을 주었다. 그러나 Ba 의 두께가 1nm이상일 경우에는 특성이 안 좋은 소자 성능을 보여줌을 알 수 있었다.

Keywords