Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2011.08a
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- Pages.287-287
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- 2011
동시계수 양전자 소멸 측정을 이용한 Cz-Si 구조 특성
- Published : 2011.08.17
Abstract
동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 n, p형 Cz-Si의 시료에 양성자를 0, 4 MeV 에너지와 조사량의 변화에 의한 결함을 측정하였으며, 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수와 W-변수를 사용하여, 구조 변화를 측정하였다. 양성자 조사에너지의 세기에 따라 결함이 증가하였으며, 양성자의 조사량의 변화에 대하여는 큰 변화가 없었다.