Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

The Effect of Quantum Well Structure on the Characteristics of GaN-based Light-Emitting Diode

양자 우물 구조가 GaN 기반 LED 특성에 미치는 영향

  • Lee, Jae-Hyun (Graduate School of Information & Communications, Hanbat National University) ;
  • Yeom, Keesoo (Department of Information & Communication Engineering, Hanbat National University)
  • 이재현 (한밭대학교 정보통신전문대학원) ;
  • 염기수 (한밭대학교 정보통신공학과)
  • Published : 2012.10.26
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Abstract

In this paper, the output characteristics of GaN-based LED considering quantum well structure are analyzed. The basic structure of the LED consists of active region of GaN barrier and InGaN quantum well between AlGaN EBL(Electron Blocking Layer) and AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) on GaN buffer layer. The output power, internal quantum efficiency characteristics of LED active region considering thickness of quantum well, number of quantum well and doping of barrier are analyzed using ISE-TCAD.

본 논문에서는 양자 우물 구조 변화에 따른 GaN 기반 LED의 출력 특성을 분석하였다. 사용된 LED의 기본 구조는 GaN 버퍼층을 기반으로 GaN 장벽과 InGaN 양자 우물로 이루어진 활성 영역이 AlGaN EBL(Electron Blocking Layer)과 AlGaN HBL(Hole Blocking Layer) 사이에 구성되어 있다. ISE-TCAD를 이용하여 LED 활성영역의 양자 우물의 두께와 개수, 장벽의 도핑 변화에 따른 출력 전력, 내부 양자 효율 특성을 분석하였다.

Keywords