Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

저밀도 유도결합플라즈마 처리를 이용한 그래핀 클리닝

  • 임영대 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 이대영 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 심전자 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 라창호 (성균관대학교 나노과학기술협동학부) ;
  • 유원종 (성균관대학교 나노과학기술협동학부)
  • Published : 2012.05.31
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Abstract

저밀도 알곤 유도결합플라즈마(Ar-ICP) 를 적용한 그래핀 클리닝 연구를 보고한다. 알곤 축전결합플라즈마(Ar-CCP)는 높은 이온포격에너지 (수백 eV) 로 인하여 그래핀의 C-C $sp_2$ bonding을 쉽게 파괴하고 defect을 형성시킨다. 그러나 저밀도 ($n_i$ < $5{\times}10^8cm^{-3}$) Ar-ICP 에 노출된 그래핀은 낮은 이온포격에너지, 이온밀도로 인하여 defect 이 형성되지 않고 residue 제거가 가능하였다. Graphene 이 집적된 back-gated field effect transistor (G-FET) 가 저밀도 Ar-ICP 에 노출될 경우 resist residue 제거로 인하여 $V_{dirac}$ 이 0 V 방향으로 이동하고 mobility 가 증가하는 것을 확인하였다.

Keywords