Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Pholuminescence properties of ZnO disks grown using vapor phase transport

기상 이동법으로 성장한 ZnO disk의 photoluminescence 특성

  • 남기웅 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 김민수 (인제대학교 나노메뉴팩쳐링 나노시스템공학과) ;
  • 김소아람 (인제대학교 나노메뉴팩쳐링 나노시스템공학과) ;
  • 박형길 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 윤현식 (인제대학교 나노공학부) ;
  • 임재영 (인제대학교 나노공학부)
  • Published : 2012.05.31
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Abstract

ZnO disk는 Ar 가스의 ON/OFF 사이클을 사용한 기상 이동법으로 성장하였다. 온도 의존성 photoluminescence (PL)은 PL 스펙트럼의 quenching 동작을 관장하는 메커니즘을 연구하기 위해 조사하였다. ZnO disk의 12 K PL 스펙트럼에서 3.364, 3.315, 3.244, 3.212, 3.170, 3.139, 3.100 eV의 피크를 관측되었고, 그것은 각각 excitons bound to neutral donors ($D^{\circ}X$), A-line, first-order longitudinal optical (1LO) phonon replica of A-line (A-1LO), donor-to acceptor pair (DAP), A-2LO, DAP-1LO, A-3LO 이다. $D^{\circ}X$와 A-line 피크는 Varshni 공식에 의해서 피팅을 하였고, 도너 이온화 에너지는 40 meV 이었다. Free excitons, $D^{\circ}X$, A-line의 lifetime은 이론적으로 계산하였고, 온도가 증가함에 따라 lifetime이 증가하였다.

Keywords