The Study of Latch-up

과도방사선 조건에서 PN다이오드소자의 방사선 영향분석

Electronic systems may be cause of various serious failures due to an ionizing radiation effect when exposed to a prompt gamma-ray pulse. This transient electrical malfunction can, in some cases, results in a failure of the electronic system of which the circuits are a part. Transient radiation measurement and evaluation system is required to development for enhanced radiation-resistance against the initial nuclear radiation produced by the detonation of a nuclear weapon of semiconductor devices. In these studies, we performed the following work. In the first part of the work, we carried out a SPICE simulation applied to nuclear radiation condition for PN diode and we also investigated the photocurrent by a pulsed gamma-ray on a PN diode using a TCAD simulation.

본 연구에서는 초기 핵 방사선 조건에서 반도체소자의 과도응답특성을 분석하기 위한 선행연구의 일환으로 반도체 소자의 과도방사선에 의한 영향에 대한 주요원인과 반도체의 물성, 설계구조, 공정방식의 조건에 따라 소자내부에 생성되는 광전류 거동특성에 대한 정략적인 분석을 위한 시뮬레이션 분석을 수행하였으며 결과적으로 반도체소자의 설계조건과 입력되는 과도방사선의 선량율에 따른 비선형 특성을 확인하였다.