Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

2015.05a
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Pages.38-38
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2015

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)

권호 표지

Post etch process using CO/NH₃ and Reactive Ion Beam for STT-MRAM device

Park, Seong-U ;
Yang, Gyeong-Chae ;
Jeon, Min-Hwan (SKKU Advanced Institute of Nano Technology (SAINT))

박성우 (성균관대학교 신소재공학부) ;
양경채 (성균관대학교 신소재공학부) ;
전민환

Published : 2015.05.07

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Abstract

차세대 메모리로 각광받고 있는 STT-MRAM의 동작특성을 향상시키기 위하여 식각 시 재 증착되는 식각 부산물을 저 손상을 제거하였다.

Keywords